Версия для печати
Технические характеристики 2N4125

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 2mA, 1V
Power - Max	625mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3905			FAIR
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3905			FAIRCHILD
		2N3905			FAIRCHILD	99
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	9 800	2.90
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	56
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		88	10.80
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N4126			FAIR
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126			OTHER
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		55 108	7.20
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.02
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	960	7.87
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...		2 340	3.52
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	КРЕМНИЙ	800	13.77
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ЭЛЕКС
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	МИНСК	3 092	8.00
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	БРЯНСК	121	6.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5239B			FAIR
		1N5239B			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N5239B			TELEFUNKEN
		1N5239B
		1N5239B			FAIRCHILD
		1N5239B			FAIRCHILD
		1N5239B			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N5239B			TELEFUNKEN
		1N5239B			Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	4 256	3.12
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	11.73
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	2 984	3.29
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		25 665	1.44  >100 шт.   0.72
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	26	9.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.18
		MC3346D			MOTOROLA
		MC3346D			MOTOROLA
		MC4558CN			ON SEMICONDUCTOR
		MC4558CN			SGS
		MC4558CN			ST MICROELECTRONICS
		MC4558CN					40.12
		MC4558CN			SGS THOMSON
		MC4558CN			STMicroelectronics
		MC4558CN			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		MC4558CN			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		MC4558CN			ST1
		MC4558CN			ST MICROELECTRONICS SEMI
		MC4558CN			ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"