2N6109
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 4V |
| Power - Max | 40W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
| Product Change Notification | Discontinuance 11/Feb/2009 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6110 |
|
|
||||||
| 2N6110 |
|
|
||||||
| 2N6111 |
|
|
||||||
| 2N6111 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| 2N6111 | ON Semiconductor |
|
|
|||||
 |
 |
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | 602 | 73.50 | ||
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | КРЕМНИЙ |
|
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | БРЯНСК | 513 | 30.00 | |
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | УЛЬЯНОВСК | 200 | 20.00 | |
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | УРЛЗ | 1 074 | 51.00 | |
|
|
|
КТ818В |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ... | RUS |
|
|
