2N7000RLRA

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2N7000RLRA (ON SEMICONDUCTOR.)	416	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 2N7000RLRA

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	200mA
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	60pF @ 25V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N7000 (Полевые МОП транзисторы)

Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts

Также в этом файле: 2N7000RLRA

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

2N7000RLRA datasheet
64.96Kb
4стр.