|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
248
|
147.60
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
|
|
520.00
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-202LF |
|
Потенциометр 2кОм(СП5-2ВБ) , 500В, 0.5В
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
|
|
681.20
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD8066ARZ |
|
Высокопроизводительные, быстродействующие операционные усилители полев. вход, вых. ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
BAS16J |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS16J |
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS16J |
|
|
NXP
|
5 748
|
|
|
|
|
BAS16J |
|
|
NEXPERIA
|
40 000
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 096
|
17.56
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 693
|
12.30
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
1 404
|
10.25
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
ВИНТ М3.0Х14 (25ШТ.) П/Т |
|
|
|
6
|
24.91
|
|
|
|
ВИНТ М3.0Х14 (25ШТ.) П/Т |
|
|
|
6
|
24.91
|
|
|
|
ВИНТ М3.0Х14 (25ШТ.) П/Т |
|
|
УДАЛЕНО
|
|
|
|