|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL
|
343
|
756.00
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
|
61
|
793.80
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL CORPORATION
|
3 131
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
MICRO CHIP
|
12 612
|
382.28
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
ATMEGA
|
|
|
|
|
|
ATMEGA128A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер , FLASH/ISP FLASH 128 Kb, EEPROM 4 Кb, SRAM 4 Kb, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
671
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
48 066
|
113.65
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
11 212
|
120.73
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
64
|
240.92
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
118.59
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
228
|
110.96
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
294
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
1 165
|
26.96
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
14 459
|
18.69
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 900
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 157
|
28.39
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
25 676
|
31.83
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.80
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
2 088
|
35.14
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 712
|
138.30
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
|
4
|
264.60
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
PMC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
35.91
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
UC3843BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
577
|
|
|