|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MSIS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DC COMPONENTS
|
10 553
|
5.39
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MSIS SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
TAITRON COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MOTOROLA
|
121
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
|
149
|
14.40
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
SUNTAN
|
2 057
|
7.74
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5400 |
|
Диод 3А, 50В
|
1
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
|
32
|
165.08
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
PANJIT
|
36
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2KBP06M |
|
Диодный мост (V=600В, I=2.0А, Vf=1.1V@I=3.14A, Rm=3.8mm, -55 to +125C), однорядный)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
79.05
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
|
240
|
42.24
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
STPR1610CT |
|
|
SGS
|
|
|
|
|
|
STPR1610CT |
|
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
TLP751 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|