AT24C02BN-SH-T
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 100 kHz, 32 pages of 8 bytes, write protect pin, Vcc=1.8-5.5V, -40 to +85C)
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Интерфейс подключения | I²C, 2-Wire Serial |
| Скорость | 400kHz, 1MHz |
| Объем памяти | 2K (256 x 8) |
| Тип памяти | EEPROM |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 220МКФ 35В (8X11) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 35В,105 °C | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 220МКФ 35В (8X11) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220мкФ, 35В,105 °C | 272 | 6.60 | ||||
| M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||
| M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE | STMicroelectronics | 18 | 25.19 | |||
| M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE | STMICROELECTR |
|
|
|||
| M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE |
|
|
||||
| M93C86-WBN6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M93C86-WBN6 |
|
|
||||||
| M93C86-WBN6 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| M95040-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| M95040-WMN6TP | ST MICROELECTRONICS SEMI | 4 |
|
|||||
| M95040-WMN6TP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| M95040-WMN6TP |
|
|
||||||
| M95040-WMN6TP | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
 |
 |
STA509A |
|
Микросхема |
|
765.20 | ||
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SK |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | SANKEN |
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема | КИТАЙ |
|
|
