BC637

Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC637 (OTHER.)	818	3-4 недели Цена по запросу
BC637 (PHILIPS.)	8 960	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BC637

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC635

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

Также в этом файле: BC637

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC637 datasheet
130.1Kb
5стр.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	КРЕМНИЙ
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...		158	14.40
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	МИНСК
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	БРЯНСК	4 503	15.20
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
КТ503Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ЭЛЕКС	96	28.54

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0402-X5R-10UF 10% 4V	Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В	MURATA
0402-X5R-10UF 10% 4V	Керамический конденсатор 10 мкФ 4 В			22.00
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	DC COMPONENTS	1 978	3.06
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35			12.24
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP	14
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	OTHER
BAT85	Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS	22 181
BF959	Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	ON SEMICONDUCTOR
BF959	Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	CONTINENTAL DEVICE INDIA
BF959	Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА			20.76
BF959	Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	ON SEMICONDUCTOR	2 508
LGA0410 680UH 10%		CHINA
LGA0410 680UH 10%				3.56
LGB0606 10UH 10%		CHINA
LGB0606 10UH 10%				7.84

BC637

Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

С этим товаром покупают: