BC850CLT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC850CLT1		2.32

Версия для печати

Технические характеристики BC850CLT1

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008 Wire Change 08/May/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC8xxxLTx

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC850CLT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC850CLT1 datasheet
93.81Kb
8стр.