BC856BLT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC856ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы) General Purpose Transistors PNP Silicon Также в этом файле: BC856BLT1G
Производитель:
|
