Версия для печати
Технические характеристики BC858B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BC856A PNP Silicon AF Transistors Также в этом файле: BC858B, BC858BC Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC858B datasheet 275.03Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3129Г9				1 944	3.68
		КТ3129Г9			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129Г9			ДАЛЕКС	1 256	28.53
		КТ3129Г9			ЭЛЕКС	4	3.23
		КТ3129Г9			RUS
		КТ3129Г9			МИНСК
		КТ3129Г9			ИНТЕГРАЛ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	370 969	1.97
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	131 832	2.13
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 714	1.34  >100 шт.   0.67
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	4.91
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	779 437	1.76  >100 шт.   0.88
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.88
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	379 276	1.29
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.31
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.51
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	12 485	1.98  >100 шт.   0.99
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.15
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 040 970	1.09
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	272 953	1.13
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	120 000	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	848 208	1.68  >100 шт.   0.84
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	29 344	1.34  >100 шт.   0.67
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 710	1.68
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	NXP
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIR
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	PHILIPS
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	DC COMPONENTS	13 241	2.02
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450		43 200	1.54  >100 шт.   0.77
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	INFINEON
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	DIOTEC	50	1.45
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	GALAXY
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	FAIRCHILD
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	NXP	2 126
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	OTHER	16 615
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	PHILIPS	1 335
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	INFINEON	2 986
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	КИТАЙ
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ON SEMI/FAIRCH
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ONSEMICONDUCTOR
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	GALAXY ME
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	SUNTAN
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	HOTTECH	91 011	1.12
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	ONS
		BC848B		Транзистор биполярный NPN 30V, 0,1A, 0,33W, B:200-450	YJ	6 704	1.21
		BC858A			GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC858A
		BC858A			DIOTEC
		BUL310		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	ST MICROELECTRONICS
		BUL310		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A		1	115.64
		BUL310		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	STMicroelectronics
		ZPD5.1			GENERAL SEMICONDUCTOR
		ZPD5.1			GENERAL SEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"