Версия для печати
Технические характеристики BCV46

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10000 @ 100mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	220MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

BCV46 Pnp Silicon Planar Darlington Transistors Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com BCV46 datasheet 53.31Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	SMK
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BY297		Импульсный диод 1.5А, 200 В	КИТАЙ
		FR207 (2A 1000V)
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LINEAR TECHNOLOGY
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LITE-ON
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LIT
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA			26.28
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	КИТАЙ
		LTV817B		Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
		UF5408 (3А 1000В)		Диод 1000V, 3A, 75nS	DC COMPONENTS
		UF5408 (3А 1000В)		Диод 1000V, 3A, 75nS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		652	26.95
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 020	35.70
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 939	32.00
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"