Версия для печати
Технические характеристики BD241C

Корпус	TO-220AB
Корпус (размер)	TO-220-3
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	3MHz
Power - Max	40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max)	300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.2V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

BD241 NPN SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD241C Производитель: Bourns Electronic Solutions //www.bourns.ru BD241C datasheet 107.3Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A	RECTIFIER
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A	VISHAY
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A		1 404	105.60
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A	INTERNATIONAL RECTIFIER	451
		16CTQ080		Диод Шоттки 80V 2x8A	Vishay/Semiconductors
		24LC512-I/SM		EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс	MICRO CHIP
		24LC512-I/SM		EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс			169.84
		24LC512-I/SM		EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс	MICRO CHIP
		24LC512-I/SM		EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс	Microchip Technology
		24LC512-I/SM		EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс	ТАИЛАНД
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	800	10.20
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	PHILIPS
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	NXP	2 459
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	CDIL
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	SHIKUES	26 910	1.98  >100 шт.   0.99
		BC847		маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...	JSCJ	1 022 241	1.21
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	MOTOROLA
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	FAIRCHILD
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ON SEMICONDUCTOR
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	POWER INNOVATIONS
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	Fairchild Semiconductor
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10	ISCSEMI
		BD242C		Транзистор биполярный большой мощности PNP 100V 3A 40W B>10			35.68
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		21 988	1.28
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	30 582	2.00
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	5 688	2.62
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ	24	2.95
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	285	4.49
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING	8 000	1.58
		HER108		Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	8 640	2.50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"