Версия для печати
Технические характеристики BD677

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Transistor Type	NPN - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR
		2N6039
		2N6039			ON SEMICONDUCTOR	692
		2N6039			STMicroelectronics
		2N6039			ST MICROELECTRO
		2N6039			ST MICROELECTRONICS
		2N6039			ISCSEMI
		2N6039			КИТАЙ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	38.40
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	15 200	14.76
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ON SEMICONDUCTOR
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS
		MJE802		Транзистор биполярный составной			91.12
		MJE802		Транзистор биполярный составной	ST MICROELECTRONICS SEMI
		MJE802		Транзистор биполярный составной	STMicroelectronics
		КТ829В				564	7.00
		КТ829В			КРЕМНИЙ	80	81.60
		КТ829В			ФРЯЗИНО	4	14.00
		КТ829В			ЭЛЬТАВ
		КТ829В			БРЯНСК
		КТ829В			САРАНСК
		КТ829В			КРЕМН
		КТ829В			ЭЛЬДАГ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD1275		Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MATSUSHITA
		2SD1275		Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	MAT
		2SD1275		Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000		2	81.60
		2SD1275		Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	PAN
		2SD1275		Биполярный транзистор NPN 60V, 2A, 35W, 20MHz, B 1000	КИТАЙ
		2SD1406Y			TOSHIBA	52	96.90
		2SD1406Y
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	159.60
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA	43	76.00
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
		2SD2499		Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
		MMBD2836LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD2836LT1			LESHAN RADIO COMPANY
		MMBD2836LT1			MOTOROLA
		MMBD2836LT1			FRS/MOT
		MMBD2836LT1			FRS
		MMBD2836LT1				3	5.04
		MMBD2836LT1			LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		MMBD2836LT1			MOTOROLA
		MMBD2836LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD2836LT1			ФИЛИППИНЫ
		MMBD2836LT1			ONS
		MMBD7000			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBD7000			NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 321
		MMBD7000			MCC
		MMBD7000			Fairchild Semiconductor
		MMBD7000			FAIRCHILD
		MMBD7000			ONS
		MMBD7000
		MMBD7000			ONS-FAIR
		MMBD7000			JSCJ	104 278	2.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"