Версия для печати
Технические характеристики BD912

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5A, 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Current - Collector (Ic) (Max)	15A
Transistor Type	PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	90W
Frequency - Transition	3MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

BD909 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Также в этом файле: BD912 Производитель: STMicroelectronics //www.st.com BD912 datasheet 99.77Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N6133
		2N6489
		2N6490
		2N6490			ON Semiconductor
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ON SEMICONDUCTOR
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ONS
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150
		2N6491		Мощный транзистор PNP 80V, 15A, 75W, B:20-150	ON SEMICONDUCTOR	9 984
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220	SANYO
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220	SAN
		2SB826		Транзистор S-P 60В 12A 10МГц TO220
		BD534			ST MICROELECTRONICS
		BD534			STMicroelectronics
		BD908			PMC
		BD908					64.00
		BD910			ST MICROELECTRONICS
		BD910			ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD910
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRONICS	639	64.25
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...			63.88
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMicroelectronics
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ТАИЛАНД
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST1
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	ST MICROELECTRO
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	STMICROELECTR
		MJE2955T		Транзистор биполярный большой мощности PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, ...	PEACOCK	4	12.72

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 186	4.96
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 764	3.94
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		4 800	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	59 193	0.65  >1000 шт.   0.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	2.00  >100 шт.   1.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.02
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SANYO
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz			28.76
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SAN
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	КИТАЙ
		2SC3502		Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	ISCSEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS	536	102.29
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)		4	75.60
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMicroelectronics
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	ST MICROELECTRO
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	STMICROELECTR
		BD911		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V, 15A, 90W (Comp. BD912)	1
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	FAIR
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS		1	410.76
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	FAIRCHILD
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	Fairchild Semiconductor
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	NS
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	FSC
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	ONS
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	ONS-FAIR
		LM555CN		ИМС Таймер NMOS	4-7 НЕДЕЛЬ	103
		SK050M4700BPF-2235		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 50 В	YAGEO
		SK050M4700BPF-2235		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK050M4700BPF-2235		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK050M4700BPF-2235		Электролитический алюминиевый конденсатор 4700мкФ, 50 В

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"