Версия для печати
Технические характеристики BF991

Частота	100MHz
Transistor Type	N-Channel Dual Gate
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Номинальное напряжение	20V
Current - Test	10mA
Noise Figure	0.7dB
Current Rating	20mA
Voltage - Test	10V
Gain	29dB
Корпус	SOT-143B

BF991 (Радиочастотные биполярные транзисторы) N-channel Dual-gate Mos-fet Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BF991 datasheet 45.76Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

ВЧ транзисторы (полевые)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	303 512	2.37
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	64 812	2.61
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 874	1.40  >100 шт.   0.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	6.63
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	53 363	1.97
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.75
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.62
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	368	1.84
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	13 257	2.02
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.36
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 404 219	1.36
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	513 835	1.44
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	128 000	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	1 192 146	1.03
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	36 704	1.58  >100 шт.   0.79
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	2 070	1.60
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAI/QTC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	ON SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FSC
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	OTHER
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	Fairchild Semiconductor
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NXP
		BF245A		Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA			15.04
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIR
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	PHILIPS
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIRCHILD
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92			12.28
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	FAIRCHILD
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	PHILIPS
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	Fairchild Semiconductor
		BF494		Транзистор NPN, 20В, ТО92	ONS-FAIR
		CD4047BCN-NS			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		CD4047BCN-NS
		LMC6482AIN			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMC6482AIN			NSC
		LMC6482AIN					171.36
		LMC6482AIN			ТАИЛАНД
		LMC6482AIN			TEXAS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"