BFM520
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Power - Max | 1W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц |
|
|
||
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ONS |
|
|
|
|
|
|
BC857CDW1T1G |
|
Биполярный транзистор универсальный p-n-p -45В, 100мА, 0.38Вт, 100МГц | ON SEMICONDUCTOR | 620 |
|
|
| BCV48E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BCV48E6327 |
|
|
||||||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W | INFINEON |
|
|
|||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W |
|
|
||||
| BCV61C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BCV62C/T1 | NXP |
|
|
