BSH103

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH103 (NXP.)	78	3-4 недели Цена по запросу
BSH103 (VBSEMI)	8 032	4.92

Версия для печати

Технические характеристики BSH103

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 500mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	850mA
Vgs(th) (Max) @ Id	400mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	83pF @ 24V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH103 (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-channel Enhancement Mode Mos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BSH103 datasheet
100.2Kb
12стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
14D471K
14D471K		HEL	924	13.56
14D471K		470V 14MM
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	SANYO	4	142.80
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W			65.32
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	SAN
2SC3040	Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W	КИТАЙ
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
BU808DFH	Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
R300-09580 5.0V			6	18.89
R300-09580 5.0V			6	18.89
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	JOYIN
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	EPCOS
S14K420	Варистор 680В, 130Дж			21.04
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	EPCOS Inc
S14K420	Варистор 680В, 130Дж	TDK (EPCOS)