BSH202

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSH202 (NXP.)	5 168	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSH202

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 280mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	520mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	80pF @ 24V
Power - Max	417mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSH202 (MOSFET)

P-channel enhancement mode MOS transistor

Производитель:
NXP

BSH202 datasheet
110.1 Кб