BSP220

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BSP220 (NXP)	799	20.71
BSP220 (NXP.)	5 619	3-4 недели Цена по запросу
BSP220 (PHILIPS.)	4	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSP220

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	225mA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	90pF @ 25V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP220 (MOSFET)

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Производитель:
NXP

BSP220 datasheet
65.2 Кб