BUK7614-55
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 68A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
| Power - Max | 142W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7608-55 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BUK7608-55 | NXP |
|
|
|||||
| BUK7608-55 | NXP | 1 130 |
|
|||||
| BUK7608-55 | PHILIPS |
|
|
|||||
| FZT751 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=2A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | ZETEX |
|
|
|||
| FZT751 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=2A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) |
|
188.88 | ||||
| FZT751 |
|
Транзистор PNP (Uce=60V, Ic=2A, P=2W, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C) | ZETEX |
|
|
|||
 |
 |
PIC16F886-I/SS |
|
Microchip Technology |
|
|
||
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
|
PIC16F886-I/SS |
|
|
|
|||
| SH016M2200B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH016M2200B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH016M2200B5S-1320 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 16 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
|
TDA8571J/N2S |
|
Усилитель низкой частоты 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x40W, Gv=34dB | NXP |
|
|
|
|
|
|
TDA8571J/N2S |
|
Усилитель низкой частоты 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x40W, Gv=34dB |
|
|
