BUK9E06-55B
|
|
Версия для печати
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7565pF @ 25V |
| Power - Max | 258W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус | I2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BUK9x06-55B N-channel Trenchmostm Logic Level Fet Также в этом файле: BUK9E06-55B
Производитель:
|
