BZT52C30
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 21V |
| Допустимые отклонения емкости | ±6.67% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 80 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BZT52 (Стабилитроны) Zener Diodes Также в этом файле: BZT52-C30
Производитель:
|
 | IRFR18N15D ТранзРСвЂВстор полевой N-канальный MOSFET РљСѓРїРСвЂВть |
 | HEDS-5500#A04 РћРїС‚РСвЂВческРСвЂВР в„– Р В Р’В Р РЋРІР‚ВРЅРєСЂРµРСВВентный 2-С… канальный СЌРЅРєРѕРТвЂВер СЃСЂРµРТвЂВнего разРСВВера Р Р…Р В° шассРСвЂВ, Р В Р’В Р СћРІР‚ВРІРСвЂВгатель РазрешенРСвЂВР В Р’Вµ  50 Р В Р’В Р РЋРІР‚ВР В Р’В Р РЋР’ВР С—/оборотНапряженРСвЂВР В Р’Вµ Р С—Р СвЂВтанРСвЂВР РЋР РЏ 5Р’Р¦РСвЂВфровой вых... РљСѓРїРСвЂВть |
 | MPXV5010G Р В Р’ВВнтегрРСвЂВрованный Р В Р’В Р СћРІР‚ВатчРСвЂВР С” Р В Р’В Р СћРІР‚ВавленРСвЂВР РЋР РЏ, РєРѕРСВВпенсРСвЂВрованный Р С—Р С• теРСВВпературе РцкалРСвЂВброванный РљСѓРїРСвЂВть |
