BZV55-B10

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-B10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	10V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	200nA @ 7V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	20 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80C
Корпус	LLDS; MiniMelf
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-B20	Стабилитрон , Ptot,Вт 0.5, VZ,В 20, Точн,% 2, Izt,мА 5	PHILIPS
BZV55-B20	Стабилитрон , Ptot,Вт 0.5, VZ,В 20, Точн,% 2, Izt,мА 5	PHILIPS	4 800
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		NSC
LM5575MH				488.72
LM5575MH		TEXAS INSTRUMENTS
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		TEXAS
LT1962EMS8		LINEAR TECHNOLOGY
LT1962EMS8				691.64
LT1962EMS8		LINEAR TECHNOLOGY	5
LT1962EMS8		LTC
LT1962EMS8		LT
LT1962EMS8		AD-LTC
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ANALOG DEVICES
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ANALOG
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	Analog Devices Inc
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	США
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	AD1
OP275GPZ	2x Операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C
ЧИП 2512 51 5%		YAGEO
ЧИП 2512 51 5%		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ЧИП 2512 51 5%		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)