BZV55-C6V2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZV55-C6V2 (DC COMPONENTS)	14 562	2.29

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-C6V2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	6.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	3µA @ 4V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	10 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80C
Корпус	LLDS; MiniMelf
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DF08S-E3/45	Диодный мост SMD 1A 800V	VISHAY
DF08S-E3/45	Диодный мост SMD 1A 800V			54.00
DF08S-E3/45	Диодный мост SMD 1A 800V	Vishay/General Semiconductor
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ	MUR	359	3.43
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ		8
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRONICS	11 932	167.28
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX		7 726	122.69
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	STMicroelectronics
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	КИТАЙ
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRO
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	STMICROELECTR
TECAP 4.7/25V B 20 (CA45B475M1EA) 4.7МКФ 25В		KESENES	3 200	12.00
US1K		DC COMPONENTS	103 822	4.31
US1K		MASTER INSTRUMENT CO
US1K		SMK
US1K		GENERAL SEMICONDUCTOR
US1K			3 253	1.46
US1K		GENERAL SEMICONDUCTOR	654
US1K		DIOTEC	35 040	7.30
US1K		KINGTRON
US1K		YJ	10 400	1.97
US1K		HOTTECH	800	1.97
US1K		YANGJIE (YJ)
US1K		1
US1K		JSCJ	17 586	1.81