Версия для печати
Технические характеристики BZV85-C27

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	27V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 50mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	50nA @ 19V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	1.3W
Impedance (Max) (Zzt)	40 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус	DO-41
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

BZV85 Voltage regulator diodes Также в этом файле: BZV85-C27 Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com BZV85-C27 datasheet 57.48Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		11 024	1.42
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC	10 780	2.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	56
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	44
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	53
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	114
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	70
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	136
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	45 289	1.90
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	22
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	18 921	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	28	2.54
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	3 860	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	9.45
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME	96	1.52
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SUNTAN	1	1.36  >100 шт.   0.68
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JY	299	4.46
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GEMBIRD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MD	397	3.15
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ASEMI	5	2.48
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	1
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	LGE	2 192	2.34
		BZV85-C13			PHILIPS
		BZV85-C13			PHILIPS	19 652
		BZV85-C13			NXP
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	MCC
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP	17 654
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS	16 810
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEXPERIA	1 112	1.32
		IRFS4229PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 45A, 330W, 0.048R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFS4229PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 45A, 330W, 0.048R)	INFINEON
		IRFS4229PBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 45A, 330W, 0.048R)
		REF192GP		Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF192GP		Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C		1	574.56
		REF192GP		Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF192GP		Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"