|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
295 541
|
2.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
64 805
|
2.43
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
707 289
|
1.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
397 593
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.74
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 251 636
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
426 707
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 186 164
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
36 704
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA
|
|
353
|
114.77
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
5 097
|
130.00
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA
|
KY
|
15
|
55.67
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
|
15 906
|
1.52
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
80
|
6.63
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
EIC
|
275
|
2.14
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
24
|
3.94
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
KLS
|
11 200
|
1.27
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
1 651
|
1.49
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C9V1 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA
|
GEMBIRD
|
27 016
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
|
|
47.92
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7103 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=50V, Id=3.0A@t=25C, 2.3A@t=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
51.00
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
|
525
|
7.56
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
ALLEGRO
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
218
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
ULN2003A |
|
ИМС 7xСО Стабилизатор 50В 0,5A TTL/CMOS
|
YOUTAI
|
|
|
|