Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 5.6V |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 2V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 40 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
|
|
919.32
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
20
|
|
|
|
|
AD654JRZ |
|
Преобразователь напряжение-частота, SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
288 960
|
2.17
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
138 560
|
2.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 874
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
6.63
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
616 208
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
560
|
1.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
394 852
|
1.31
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
13 257
|
1.38
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.24
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 091 484
|
1.23
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
409 443
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
1 192 648
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
34 304
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 910
|
1.60
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
|
|
44.00
|
|
|
|
ECAP 2200/25V 1320 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 16В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
700 763
|
2.45
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
|
22
|
9.60
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
TWN
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YJ
|
399 073
|
1.61
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONICS
|
24
|
1.37
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
HOTTECH
|
156 812
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KLS
|
53
|
1.45
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MIC
|
17
|
1.60
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE
|
20 000
|
1.52
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SUNTAN
|
2 021
|
1.04
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
WUXI XUYANG
|
1 687
|
13.19
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
PANJIT
|
11 960
|
1.81
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIA
|
7 760
|
5.90
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MDD
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
NUMONYX
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
|
|
273.80
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
M25P16-VMN6P |
|
SERIAL PAGED FLASH 2M(X8) 2.7-3.6 VCC
|
MICRON TECHNOLOGY,INC
|
|
|
|