Версия для печати
Технические характеристики CD74ACT374M

Корпус (размер)	20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Ток выходной макс., мин.	24mA, 24mA
Тип триггера	Positive Edge
Время задержки	2.8ns
Частота - Тактовый генератор	110MHz
Число битов на элемент	8
Число элементов	1
Тип выхода	Tri-State Non Inverted
Тип	D-Type Bus
Функция	Standard
Серия	74ACT
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Tri-State Non Inverted

CD74ACT374 (Триггеры) OCTAL D-TYPE FLIP-FLOPS, 3-STATE POSITIVE-EDGE TRIGGERED Также в этом файле: CD74ACT374M, CD74ACT374M96, CD74ACT374M96E4, CD74ACT374ME4 Производитель: Texas Instruments //www.ti.com CD74ACT374M datasheet 465.75Kb 13стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Триггеры (Flip Flops)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)			109.28
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NSC
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NS	10	157.50
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V		4	120.25
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM	3
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAX
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	YOUTAI	651	34.47
		КТ3129А9				992	19.87
		КТ3129А9			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ДАЛЕКС	1 583	28.53
		КТ3129А9			RUS
		КТ3129А9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ЭЛЕКС	800	12.35
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 479	28.97
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	532	25.20
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		11 772	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	18 668	46.20
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 760	113.65
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"