|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08D.653 |
|
Quad 2Inp AND Gate
|
|
|
|
|
|
|
GRM31A5C2J221JW01D |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 630 В
|
MUR
|
9 760
|
1.66
|
|
|
|
GRM31A5C2J221JW01D |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 630 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM31A5C2J221JW01D |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 630 В
|
MURATA
|
2 000
|
|
|
|
|
GRM31A5C2J221JW01D |
|
Керамический конденсатор 220 пФ 630 В
|
|
|
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
INFINEON
|
1 752
|
146.36
|
|
|
|
IRL3705NPBF |
|
Транзистор полевой N-MOS 55В, 89A, 170Вт(Logic-Level)
|
|
|
|
|
|
|
RL1220S-R50-F |
|
|
Susumu
|
|
|
|
|
|
RL1220S-R50-F |
|
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
3 767
|
1.79
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
16
|
6.30
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
960
|
74.39
|
|