|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Power - Max | 60W |
Frequency - Transition | 50MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220 |
MJD44H11 COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD711 | Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W | ST MICROELECTRONICS | ||||||
BD711 | Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W | 57.36 | ||||||
BD711 | Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 12A 75W | STMicroelectronics | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST MICROELECTRONICS | 431 | 83.47 | ||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | 3 | 98.40 | |||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | STMicroelectronics | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | МАВРИТАНИЯ | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST1 | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | ST MICROELECTRO | ||||||
MJE3055T | Транзистор биполярный большой мощности NPN 70V 10A 75W B:20-100 | MULTICOMP |
|