EGL41B
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-213AB, Melf |
| Корпус | DO-213AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA |
|
35.68 | ||||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | 120 |
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONS | 224 | 17.71 | |||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONSEMI |
|
|
|||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRL3714ZS |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
218.80 | ||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В |
|
210.28 | |||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES | 2 |
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | Analog Devices Inc |
|
|
||
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
