EMG3T2R


EMG3T2R (заказ)
EMG3T2R

Технические характеристики EMG3T2R

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max150mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-75, SOT-416
КорпусEMT3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru