EMT1DXV6T1


Купить EMT1DXV6T1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
EMT1DXV6T1
Версия для печати

Технические характеристики EMT1DXV6T1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Power - Max500mW
Frequency - Transition140MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-563
КорпусSOT-563
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
AD8510AR
ОУ полев., 8 МГц, 20 В/мкс, Uсм = 0,1 мВ, 1,7 мкВ/°С, 7,6 нВ/VГц, Iвх = 0,021 нА, Iвых = 54 мА, Iп = 2 мА, Uп = 9...36 В, -40...+125°C, SOIC8.
Купить
KEM-3191AR (RED)

Купить
S1036-2 20A 32V

Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход