Версия для печати
Технические характеристики EPM3064ATC44-10

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	MAX® 3000A
Тип программирования	In System Programmable
Задержка tpd(1) Макс.	10.0ns
Voltage Supply - Internal	3 V ~ 3.6 V
Число логичеких блоков/ элеметов	4
Число макроячеек	64
Число секций	1250
Число вводов/выводов	34
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	44-TQFP
Корпус	44-TQFP (10x10)
Product Change Notification	Bond Wire Change 4/Sept/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Программируемая логика (CPLD)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SN74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный		22	21.12
		SN74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	Texas Instruments	3 600	35.42
		SN74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	TEXAS INSTR
		SN74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	TEXAS INSTRUMENTS	32
		SN74HC164D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Регистр сдвиговый 8 бит последовательный	TEXAS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)		1 104	2.45
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY	5 333	3.35
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP	3 888
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	Diodes Inc
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	КИТАЙ
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DI
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DC COMPONENTS
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIODES
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	DIOTEC	29 408	3.04
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	GALAXY ME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	INFINEON	102
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	LRC
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	HOTTECH	12 000	1.28
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	PANJIT
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMTECH	60	3.46
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	WUXI XUYANG	52	3.05
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	SEMICRON
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	KOME
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	NXP/NEXPERIA
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	JSCJ	78 138	1.94
		BAV199		2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)	YJ	85 026	1.97
		BAV99,215			NXP Semiconductors
		BAV99,215			NXP
		BAV99,215			NEX
		BAV99,215			NXP
		BAV99,215			NEXPERIA
		BAV99,215				9
		BAV99,215			NEX-NXP	1	11.81
		BAV99,215			NXP/NEXPERIA
		BAV99,215			NEXPERIA
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAI/QTC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIR
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	NXP
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA			14.92
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FAIRCHILD
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	Fairchild Semiconductor
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	ЯПОНИЯ
		BF245C		Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA	FSC1
		OP777ARZ		Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ...	ANALOG DEVICES	96	285.36
		OP777ARZ		Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ...	ANALOG
		OP777ARZ		Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ...	Analog Devices Inc
		OP777ARZ		Операционный усилитель бипл./CMOS, вых. размах до шин питания, 0,7 МГц, 0,2 В/мкс, Uсм ...

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"