FDB5690
60v n-channel powertrench mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 32A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1120pF @ 25V |
| Power - Max | 58W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDB5690 (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
