FDG6306P


FDG6306P (заказ)
FDG6306P

Технические характеристики FDG6306P

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET Type2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C600mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds114pF @ 10V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru