FDS6892A


Dual n-channel logic level pwm optimized powertrench mosfet

Купить FDS6892A ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDS6892A
Версия для печати

Технические характеристики FDS6892A

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияPowerTrench®
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.5A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1333pF @ 10V
Power - Max900mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
Product Change NotificationCu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDS6892A (MOSFET)

Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDS6892A datasheet
80.1 Кб
Р’Рљ-43-21-22110 2Р—+2Р  РљР РђРЎРќ.
Применяются в пультах управления, электрошкафах подвижных и стационарных электроустановок в промышленном оборудовании и на объектах электроэнергетики....
500.00 Р РЋР вЂљР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
2Р РўРў20РљРџРќ5РЁ40Р’
Разъемы 2РТТ, брызгопылезащищенные, используются в цепях постоянного и переменного тока до 3000 кГц и амплитуды напряжения до 850В. Разновидностивилки...
4025.00 Р РЋР вЂљР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
2Р РўРў20РљРџРќ5РЁ40Р’
Разъемы 2РТТ, брызгопылезащищенные, используются в цепях постоянного и переменного тока до 3000 кГц и амплитуды напряжения до 850В. Разновидностивилки...
4025.00 Р РЋР вЂљР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход