![]() |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1333pF @ 10V |
Power - Max | 900mW |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDS6892A (MOSFET) Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
![]() | Р В РІР‚в„ўР В РЎв„ў-43-21-22110 2Р—+2Р РљР РђРЎРќ. РџСЂРСвЂР В РЎВеняются впультах управленРСвЂР РЋР РЏ, электрошкафах РїРѕРТвЂР  Р†Р СвЂР  В¶Р Р…ых РцстацРСвЂР  С•Р Р…арных электроустановок РІРїСЂРѕРСВышленноРѠРѕР±РѕСЂСѓРТвЂР  С•Р Р†Р В°Р Р…Р СвЂР  С†Р С†Р Р…Р В° объектах электроэнергетРСвЂР  С”Р СвЂ.... 500.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | 2Р В Р СћР Сћ20Р В РЎв„ўР В РЎСџР В РЎСљ5Р В Р Рѓ40Р В РІР‚в„ў РазъеРСВР РЋРІР‚в„– 2Р В Р СћР Сћ, брызгопылезащРСвЂР ЎвЂ°Р ВµР Р…ные, Р В РЎвЂР ЎРѓР С—ользуются вцепях постоянного РцпереРСВенного тока Р В РўвЂР  С• 3000 кГцРцР°РСВРїР»РСвЂР ЎвЂљРЎС“Р ТвЂР РЋРІР‚в„– напряженРСвЂР РЋР РЏ Р В РўвЂР  С• 850Р В РІР‚в„ў. РазновРСвЂР В РўвЂР  Р…РѕСЃС‚РСвЂР  Р†Р СвЂР  В»Р С”Р СвЂ... 4025.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
![]() | 2Р В Р СћР Сћ20Р В РЎв„ўР В РЎСџР В РЎСљ5Р В Р Рѓ40Р В РІР‚в„ў РазъеРСВР РЋРІР‚в„– 2Р В Р СћР Сћ, брызгопылезащРСвЂР ЎвЂ°Р ВµР Р…ные, Р В РЎвЂР ЎРѓР С—ользуются вцепях постоянного РцпереРСВенного тока Р В РўвЂР  С• 3000 кГцРцР°РСВРїР»РСвЂР ЎвЂљРЎС“Р ТвЂР РЋРІР‚в„– напряженРСвЂР РЋР РЏ Р В РўвЂР  С• 850Р В РІР‚в„ў. РазновРСвЂР В РўвЂР  Р…РѕСЃС‚РСвЂР  Р†Р СвЂР  В»Р С”Р СвЂ... 4025.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
|
Корзина
|