FDT439N
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM319R71H104KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM319R71H104KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| GRM319R71H104KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| GRM319R71H104KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В |
|
1.60 | ||||
| GRM319R71H104KA01D |
|
Керамический конденсатор 0.1 мкФ 50 В | MUR | 27 183 | 2.53 | |||
| MBRM120E |
|
|
||||||
| MBRM120E | ON SEMICONDUCTOR | 80 | 53.55 | |||||
| MINIUSB A B-05 НА КАБЕЛЬ |
|
29.04 | ||||||
| MINIUSB A B-05 НА КАБЕЛЬ | КИТАЙ |
|
|
|||||
| MINIUSB A B-05 НА КАБЕЛЬ | CZT |
|
|
|||||
| TECAP 10/16V C 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В | VISHAY |
|
|
|||
| TECAP 10/16V C 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 16 В |
|
|
||||
| TECAP 220/16V E 10 LOWESR |
|
Электролитический танталовый конденсатор 220 мкФ 16 В | VISHAY |
|
|
