FJN3307RBU


FJN3307RBU (заказ)
FJN3307RBU

Технические характеристики FJN3307RBU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce68 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition250MHz
Power - Max300mW
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КорпусTO-92-3
Product Change NotificationFe Wire Change 12/Oct/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru