FQA55N10
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 30.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 61A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2730pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус | TO-3P |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
