FQP2N80

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP2N80 (FAIRCHILD.)	175	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FQP2N80

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 Ohm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	550pF @ 25V
Power - Max	85W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP2N80 (MOSFET)

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP2N80 datasheet
650 Кб