GS1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 400V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
| Корпус | SMA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
GS1x LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE Также в этом файле: GS1G
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
|
182.40 | ||
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
|
|
|
| HGT1S20N60C3S | FAIR |
|
|
|||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | MOTOROLA | 52 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | ON SEMICONDUCTOR | 3 265 |
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
MMBD7000LT1 | INFINEON | 2 084 |
|
||||
| STP8NA50 | SGS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | SGS THOMSON |
|
|
|||||
| UCC2894DR |
|
292.00 | ||||||
| UCC2894DR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| UCC2894DR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 161 |
|
