H11A817CSD
1-Ch, Uiso=5.3kV, Uceo=35.100V, CurTr(min)=200400%10mA
Версия для печати
Технические характеристики H11A817CSD
| Тип входа | DC |
| Корпус (размер) | 4-SMD |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип выхода | Transistor |
| Vce Saturation (Max) | 200mV |
| Current - DC Forward (If) | 50mA |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Current Transfer Ratio (Max) | 400% @ 5mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 200% @ 5mA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Output Type | Transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
