HAT2169H-EL-E

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HAT2169H-EL-E (HITACHI SEMICONDUCTOR.)	1	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики HAT2169H-EL-E

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6650pF @ 10V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-100, SOT-669
Корпус	LFPAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.