|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
|
|
15.20
|
|
|
|
2SB647 |
|
Биполярный транзистор PNP 120V, 1A, 0.9W, 140MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.67
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
7 614
|
2.66
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
40 116
|
1.02
|
|
|
|
IRFPE40 |
|
Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE40 |
|
Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPE40 |
|
Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А
|
|
|
187.36
|
|
|
|
IRFPE40 |
|
Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFPE40 |
|
Транзистор полевой N-канальный 800В, 5.4А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
|
|
7.68
|
|
|
|
SB240 |
|
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
49
|
|
|
|
|
SB240 |
|
|
|
|
7.68
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
THINKING
|
|
|
|