Версия для печати
Технические характеристики HIP6602BCBZ-T
Корпус | 14-SOICN |
Корпус (размер) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
Напряжение питания | 10.8 V ~ 13.2 V |
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 15V |
Число выходов | 4 |
Число конфигураций | 2 |
Ток пиковое значение | 400mA |
Тип входа | PWM |
Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HIP6602B (Управление питанием)
Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
Также в этом файле:
HIP6602BCBZ-T
Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com
|