HIP6602BCR


Купить HIP6602BCR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HIP6602BCR
Версия для печати

Технические характеристики HIP6602BCR

Корпус16-QFN-EP (5x5)
Корпус (размер)16-VQFN Exposed Pad
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура0°C ~ 85°C
Напряжение питания10.8 V ~ 13.2 V
Число выходов4
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)15V
Число конфигураций2
Ток пиковое значение400mA
Тип входаPWM
КонфигурацияHigh and Low Side, Synchronous
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HIP6602B (Управление питанием)

Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver

Также в этом файле: HIP6602BCR, HIP6602BCR-T, HIP6602BCRZ, HIP6602BCRZA, HIP6602BCRZA-T, HIP6602BCRZ-T

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

HIP6602BCR datasheet
318.18Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход