Версия для печати
Технические характеристики HIP6602BCR-T
| Корпус | 16-QFN-EP (5x5) |
| Корпус (размер) | 16-VQFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 10.8 V ~ 13.2 V |
| Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка) | 15V |
| Число выходов | 4 |
| Число конфигураций | 2 |
| Ток пиковое значение | 400mA |
| Тип входа | PWM |
| Конфигурация | High and Low Side, Synchronous |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
HIP6602B (Управление питанием)
Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver
Также в этом файле:
HIP6602BCR-T
Производитель:
Intersil Corporation
|
