HIP6602BCRZ-T


Купить HIP6602BCRZ-T ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HIP6602BCRZ-T
Версия для печати

Технические характеристики HIP6602BCRZ-T

Корпус16-QFN-EP (5x5)
Корпус (размер)16-VQFN Exposed Pad
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура0°C ~ 85°C
Напряжение питания10.8 V ~ 13.2 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)15V
Число выходов4
Число конфигураций2
Ток пиковое значение400mA
Тип входаPWM
КонфигурацияHigh and Low Side, Synchronous
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HIP6602B (Управление питанием)

Dual Channel Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver

Также в этом файле: HIP6602BCRZ-T

Производитель:
Intersil Corporation
//www.intersil.com

HIP6602BCRZ-T datasheet
318.18Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход